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采样电阻损坏的特点及检测方法有哪些

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采样电阻

一.采样电阻损坏的特点及检测方法

1.采样电阻损坏的特点

采样电阻是电器设备中数量最多的元件,但不是损坏率最高的元件。采样电阻损坏以开路最常见,阻值变大较少见,阻值变小十分少见。常见的有碳膜采样电阻、金属膜采样电阻、线绕采样电阻和保险采样电阻几种。前两种采样电阻应用最广,其损坏的特点一是低阻值(100Ω以下)和高阻值(100kΩ以上)的损坏率较高,中间阻值(如几百欧到几十千欧)的极少损坏;二是低阻值采样电阻损坏时往往是烧焦发黑,很容易发现,而高阻值采样电阻损坏时很少有痕迹。线绕采样电阻一般用作大电流限流,阻值不大。圆柱形线绕采样电阻烧坏时有的会发黑或表面爆皮、裂纹,有的没有痕迹。水泥采样电阻是线绕采样电阻的一种,烧坏时可能会断裂,否则也没有可见痕迹。保险采样电阻烧坏时有的表面会炸掉一块皮,有的也没有什么痕迹,但绝不会烧焦发黑。

1.采样电阻的检测方法

1)检查万用表电池

方法如下:将挡位旋钮依次置于采样电阻挡R×1?和R×10K挡,然后将红、黑测试笔短接。旋转欧姆调零电位器,观察指针是否指向零(MF47型万用表如R×1?挡,指针不能校零,则更换万用表的1.5V电池。如R×10?挡,指针不能校零,更换9V电池。)

2)选择适当倍率挡

测量某一采样电阻器的阻值时,要依据采样电阻器的阻值正确选择倍率挡,按万用表使用方法规定,万用表指针应在全刻度的中心部分读数才较准确。测量时采样电阻器的阻值是万用表上刻度的数值与倍率的乘积。如测量一采样电阻器,所选倍率为R×1,刻度数值为9.4,该采样电阻器采样电阻值为R=9.4×1=9.4?。

3)采样电阻挡调零

在测量采样电阻之前必须进行采样电阻挡调零。其方法如检查电池方法一样(短接红黑测试笔),在测量采样电阻时,每更换一次倍率挡后,都必须重新调零。

2.测量前的准备工作

将两表笔(不分正负)分别与采样电阻的两端引脚相接即可测出实际采样电阻值。为了提高测量精度,根据被测采样电阻标称值的大小来选择量程。由于欧姆挡刻度的非线性关系,它的中间一段分度较为精细,因此应使指针指示值尽可能落到刻度的中段位置,即全刻度起始的20%—80%弧度范围内,以使测量更准确。根据采样电阻误差等级不同。读数与标称阻值之间分别允许有±5%、±10%或±20%的误差。如不相符,超出误差范围,则说明该采样电阻器变值了。

注意事项: 测试时,特别是在测几十KΩ以上阻值的采样电阻时,手不要触及表笔和采样电阻的导电部分;被检测的采样电阻人电路板中焊下来,至少要焊开一个引脚,以免电路中的其他元件对测试产生影响,造成测量误差;色环采样电阻的阻值虽然能以色环标志来确定,但在使用时最好还是用万用表测试下其实际阻值。

根据以上特点,在检查采样电阻时可有所侧重,快速找出损坏的采样电阻。

二.电解电容损坏的特点及检测方法

1.电解电容的损坏特点

电解电容在电器设备中的用量很大,故障率很高。电解电容损坏有以下几种表现:一是完全失去容量或容量变小;二是轻微或严重漏电;三是失去容量或容量变小兼有漏电。查找损坏的电解电容方法有:

(1)看:有的电容损坏时会漏液,电容下面的电路板表面甚至电容外表都会有一层油渍,这种电容绝对不能再用;有的电容损坏后会鼓起,这种电容也不能继续使用;

(2)摸:开机后有些漏电严重的电解电容会发热,用手指触摸时甚至会烫手,这种电容必须更换;

(3)电解电容内部有电解液,长时间烘烤会使电解液变干,导致电容量减小,所以要重点检查散热片及大功率元器件附近的电容,离其越近,损坏的可能性就越大。

2.电解电容的检测方法

因为电解电容的容量比一般固定电容大得多,所以,测量时,应针对不同容量选用合适的量程。根据经验,一般情况下,470nF-—10μF间的电容,可用R×1k挡测量;10μF—300μF的电容可用R×100挡测量;300 μF以上的电容可用R×1或R×10挡测量。

在检测电解电容器时,要先对电容器放电,特别是对于大容量的电解电容器,可以直接短路两个引脚进行放电。然后万用表红表笔接负极,黑表笔接正极,在刚接触的瞬间,万用表指针即向右偏转较大偏度(对于同一采样电阻挡,容量越大,摆幅越大),接着逐渐向左回转,直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏采样电阻,此值略大于反向漏采样电阻。实际使用经验表明,电解电容的漏采样电阻一般应在几百kΩ以上,否则,将不能正常工作。在测试中,若正向、反向均无充电的现象,即表针不动,则说明容量消失或内部断路;如果所测阻值很小或为零,说明电容漏电大或已击穿损坏,不能再使用。

三.半导体器件损坏的特点

1.半导体器件损坏的特点

二、三极管的损坏一般是PN结击穿或开路,其中以击穿短路居多。此外还有两种损坏表现:一是热稳定性变差,表现为开机时正常,工作一段时间后,发生软击穿;另一种是PN结的特性变差。

2.半导体器件的检测方法

用万用表R×1k测,各PN结均正常,但上机后不能正常工作,如果用R×10或R×1低量程档测,就会发现其PN结正向阻值比正常值大。测量二、三极管可以用指针万用表在路测量,较准确的方法是:将万用表置R×10或R×1档(一般用R×10档,不明显时再用R×1档)在路测二、三极管的PN结正、反向采样电阻,如果正向采样电阻不太大(相对正常值),反向采样电阻足够大(相对正向值),表明该PN结正常,反之就值得怀疑,需焊下后再测。这是因为一般电路的二、三极管外围采样电阻大多在几百、几千欧以上,用万用表低阻值档在路测量,可以基本忽略外围采样电阻对PN结采样电阻的影响。

四.集成电路损坏的特点

集成电路内部结构复杂,功能很多,任何一部分损坏都无法正常工作。集成电路的损坏也有两种:彻底损坏、热稳定性不良。彻底损坏时,可将其拆下,与正常同型号集成电路对比测其每一引脚对地的正、反向采样电阻,总能找到其中一只或几只引脚阻值异常。对热稳定性差的,可以在设备工作时,用无水酒精冷却被怀疑的集成电路,如果故障发生时间推迟或不再发生故障,即可判定。通常只能更换新集成电路来排除。

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