电容基本分类
电容分基本上可为两大类: 耦合电容,储能电容。
去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用:
一方面是集成电路的储能电容;另一方面,旁路掉该器件的高频噪声。
典型的去耦电容值为0.1μF。这个电容的分布电阻的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电阻,它的并行共振频率大约在7MHz左右,也就是说,对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果,对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容,并行共振频率在20MHz以上,去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容,或1个蓄能电容,可选10μF左右。最好是不电解电容器,电解电容器是2层薄膜,这种结构在高频性能上的电阻。使用钽电容器或聚碳酸酯电容器。对去耦电容的选择不严格,但根据C = 1 / F,即,10MHz需要0.1μF,100MHz取0.01μF。
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